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제안 방법
- 본 연구에서는 500nm thermal SiCh가 증착된 4인치 실리콘 웨이퍼를 사용하였다. 560℃에서 620℃로 박막을 증착하여 결정성을 알아보았다. 또한 비정질로 증착된 박막을 900℃에서 110 0℃S.
- 또한 비정질로 증착된 박막을 900℃에서 110 0℃S. RTA(Rapid thermal annealing)와 진공열처리를 하여 결정성과 박막의 물리적 성질을 분석하였다. 박막의 증착 조건은 5% SiH4를 60sccm, 500mtorr로 증착하였다.
- 표면의 거칠기를 알아보기 위해서 AFM을 사용하였고, 결정구조와 방향성은 XRD를 이용하였다. Tencor사의 응 력 측정기에 의해 박막의 응력을 측정하였다.
- 580℃에서는 약한 결정질 방향을 얻었으며, 높은 온도에서는 거의 결정성을 이루었지만, 결정성을 가진 박막은 열처리에 의해 더욱 큰 결정성을 가지지는 않는다. 비정질로 증착된 박막을 여러 가지 열처리에 의한 변화를 비교 분석한 하였다. RTA에 의한 열처리로 결정성을 가질수 있으며, 웅력이 완화됨을 알 수 있었다.
- 박막의 증착 조건은 5% SiH4를 60sccm, 500mtorr로 증착하였다. 표면의 거칠기를 알아보기 위해서 AFM을 사용하였고, 결정구조와 방향성은 XRD를 이용하였다. Tencor사의 응 력 측정기에 의해 박막의 응력을 측정하였다.
대상 데이터
- 본 연구에서는 500nm thermal SiCh가 증착된 4인치 실리콘 웨이퍼를 사용하였다. 560℃에서 620℃로 박막을 증착하여 결정성을 알아보았다.
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