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ALD법으로 증착된 실리콘 절연박막의 물리적.전기적 특성
Physical and Electrical Characteristics of Silicon Dielectric Thin Films by Atomic layer Deposition 원문보기

한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집, 2003 Nov. 01, 2003년, pp.169 - 169  

한창희 (한밭대학교 재료공학과) ,  이주현 (한국과학기술원 재료공학과) ,  김운중 (세종대학교 신소재공학과) ,  이원준 (세종대학교 신소재공학과) ,  나사균 (한밭대학교 재료공학과)

초록
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실리콘 절연막은 반도체 및 디스플레이 소자의 gate 절연막과 보호막으로, 그리고 배선공정에서는 층간절연막(ILD, Inter Layer Dielectric)으로 사용하는데, 주로 IPCVD, PECVD, APCVD법에 의하여 증착되고 있다. 그러나 이러한 방법들은 반도체 소자의 고집적화가 진행됨에 따라 증착온도와 step coverage 및 물성 이 문제점으로 대두되고 있다. 이러한 문제점들을 해결할 수 있는 원자층 증착(ALD, Atomic Layer Deposition)기술은 기판 표면에서의 self-limiting reaction을 통해 매우 얇은 박막을 형성할 수 있고, 두께 및 조성 제어를 정확히 할 수 있으며, 복잡한 형상의 기판에서도 우수한 step coverage를 얻을 수 있어 초미세패턴의 형성과 매우 얇은 두께에서 균일한 물리적, 전기적 특성이 요구되는 초미세 반도체 공정에 적합하다. 또 저온에서 증착이 가능해 유리를 기판으로 사용하는 TFT-LCD소자의 gate 절연막에 적용이 가능하다.

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