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EPI MOSFET의 문턱 전압 특성 분석
Analysis for Threshold-voltage of EPI MOSFET 원문보기

한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회, 2001 Oct. 01, 2001년, pp.665 - 668  

김재홍 (군산대학교 전자정보공학부) ,  고석웅 (군산대학교 전자정보공학부) ,  임규성 (논산 백제병원 방사선과) ,  정학기 (군산대학교 전자정보공학부) ,  이종인 (군산대학교 전자정보공학부)

초록
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최근 소자의 크기가 작아짐에 따라 집적도가 향상되었으며 크기 감소로 인한 전류-전압 특성의 열화 및 기생 커패시턴스에 의한 성능감쇠가 발생하였다. 이런 문제들을 해결하기 위해 여러 가지 구조들이 개발되고 있으며 본 논문에서는 고농도로 도핑된 ground plane 층위에 적층하여 만든 EPI 구조에 대해 조사 분석하였다. 이 구조의 특성과 임팩트 이온화 및 전계 그리고 I-V 특성 곡선을 저농도로 도핑된 LDD(Lightly Doped Drain) 구조와 비교 분석하였다. 소자의 채널 길이는 0.l0$\mu\textrm{m}$부터 0.06$\mu\textrm{m}$까지 0.01$\mu\textrm{m}$씩 스케일링하여 시뮬레이션 하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

As reducing the physical size of devices, we can integrate more devices per the unit chip area and make its speed better. We have investigated MOSFET built on an epitaxial layer(EPI) of a heavily-doped ground plane. We compared and analyzed the characteristics of such device structure, i.e., impact ...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 0.1(加m에서부터 0.06例까지 정전 압 스케일링 이론에 의해 게이트 길이를 스케일 링하여 MOSFET 소자의 문턱전압 및 전계, 임팩 트 이온화에 대한 현상들을 고찰하였다. I-V 특성 및 임팩트이온화와 전계는 게이트 길이가 감소할 수록 증가하는 것을 확인 할 수 있었고 문턱전압 은 게이트 길이가 감소할수록 작아지고 LDD 구 조보다 EPI 구조에서 문턱전압이 더 낮은 것을 확인 할 수 있었다.
  • 이러한 현상을 해결하기 위해 여러 가지 구조 가 제시되고 있는데 본 논문에서는 고농도로 도 핑된 ground plane 충위 에 적층하여 만든 EPI MOSFET(epitaxial layer) 구조와 드레인과 채널이 만나는 지점의 도핑농도를 줄이고 접점부위의 드 레인은 도전율의 감소를 방지하기 위해 기존의 높은 도핑농도를 유지하는 (Lghtly Doped Drain : LDD) MOSFET 구조에 대해서 임팩트 이온화 및 전 계 21리 고 문턱 전압(threshold voltage)과 같 은 특성들을 비교 조사하였다. 사용된 구조는 Si- 기반 n-채널 이다.
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