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제안 방법
- TRW의 0.15 HEMT 파운드리의 모델을 이용하여 libra로 2-stage LNA를 설계하였다. 회로의 성능은 다음과 같다.
- short-circuited stub를 이용한 정전기 방지 회로를 주어진 내부 회로(여기서는 LNA)에 적용시킬 수 있는 방법은 무한히 많이 있으나, 여기서는 그 중 하나의 예로써, 1st stage롤 구성하고 있는 HEMT 의 gate쪽 정합 회로를 약간 변형시키는 방법을 제시하였다.
- 성분이 없으며, 매우 높은 ESD threshold voltage를 가지는 정전기 방지 회로를 제시하였다. 또한 이 회로를 11.7~22.5 GHz의 동작 주파수를 가지는 LNA에 직접 적용하여 시뮬레이션 해 봄으로써 고주파용 정전기 방지회로로써의 가능성을 확인하였다.
- 먼저 위와 같은 short-circuited stub의 길이가 내부 회로의 성능에 미치는 효과를 알아보기 위하여 일단, 정전기 방지 회로가 없는 일반적인 LNA를 설계하여 보았다. 이때 주파수 대역은 Ku-band의 11.
- 고주파 회로용 정전기 방지 회로에 transmission line을 이용한 것이 최근 논문[1]과 특허[3]로 발표되었지만, 이 또한 transmission line 사체가 정전기 방지 회로로써의 역할을 하는 것이 아니라, 정전기 방지 소자로 사용되는 lumped element의 parasitic cap. 성분이 내부회로의 동작에 영향을 미치지 않도록 정합하는 역할로 사용되었다, 하지만 이 논문에서는 처음으로 고주파 회로용 정전기 방지 회로로 그림 2처럼 short-circuited stub를 직접 정전기 방지 소자 도입하였다.
- 이 논문에서는 parasitic cap. 성분이 없으며, 매우 높은 ESD threshold voltage를 가지는 정전기 방지 회로를 제시하였다. 또한 이 회로를 11.
- 이제 위에서 설계된 LNA를 기본 바탕으로 정합회로 부분을 변화시켜서, DC blocking capacitor 앞쪽에 short-circuited stub를 포함하는 정합회로로 바꾸어 회로의 성능을 시뮬레이션 해 보았다. 변화된 정합 회로는 그림 4와 같다.
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