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[국내논문] Ni/Si/Ni n형 4H-SiC의 오옴성 접합
Ni/Si/Ni Ohmic contacts to n-type 4H-SiC 원문보기

한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회논문집, 2001 Nov. 01, 2001년, pp.197 - 200  

이주헌 (순천향대학교 정보기술공학부) ,  양성준 (순천향대학교 정보기술공학부) ,  노일호 (순천향대학교 정보기술공학부) ,  김창교 (순천향대학교 정보기술공학부) ,  조남인 (선문대학교 전자공학과) ,  정경화 (선문대학교 전자공학과) ,  김은동 (한국전기연구원) ,  김남균 (한국전기연구원)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this letter, we report on the investigation of Ni/Si/Ni Ohmic contacts to n-type 4H-SiC. Ohmic contacts have been formed by a vacuum annealing and N$_2$ gas ambient annealing method at 950$^{\circ}C$ for 10 min. The specific contact resistivity($\rho$$_<$TEX>...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 수준에 머물러 있는 상황이다. 따라서 SiC 공정기술을 보다 높은 수준으로 이르게 하기 위해 금속화 공정의 중요한 오옴성 접합의 특성을 조사하였다. 오옴성 접합은 소자의 동작주파수, 잡음 특성 및 출력에 큰 영향을 미친다.
  • 특히 고출력 소자에서 접촉저항이 크면 열 방출이 증가하여 소자의 온도가 상승하게 되므로 접촉저항을 낮추는 것이 매우 중요하다. 또한 고온에서의 열적 안정성과 낮은 접촉저항을 동시에 확보하기 위한 오옴성 접합 기술의 연구가 반드시 필요하여, 우수한 특성을 갖는 금속과 열처리 조건 및 그 밖의 제반 문제점을 찾고자 이 연구를 살행하였다.
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