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고온 확산공정에 따른 산화막의 전기적 특성
Electrical Characteristics of Oxide due to High Temperature Diffusion. 원문보기

한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1, 2003 July 10, 2003년, pp.63 - 66  

홍능표 (광운대학교 전기공학과) ,  최두진 (페어차일드 코리아 반도체(주)) ,  고길영 (광운대학교 전기공학과) ,  이태선 (광운대학교 전기공학과) ,  최병하 (페어차일드 코리아 반도체(주)) ,  홍진웅 (광운대학교 전기공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, the electrical characteristics of single oxide layer due to high temperature diffusion process, wafer resistivity and thickness of poly backseat was researched. The oxide quality was examined through capacitance-voltage characteristics, and besides, it will be describe the capacitance...

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문제 정의

  • 본 논문에서는 각기 다른 웨이퍼를 기본시료로 고온 확산공정 진행에 따른 산화막의 전기적 특성을 평가함으로써 향후 전력용 소자의 항복 전압 특성 구현에 가장 큰 영향을 미칠 field 산화막의 전기적 특성평가를 통해 미리 추정해 보는데 그 목적이 있다. 이를 통해 고온 '확산공정 적용으로 라인 생산성 향상에 크게 기여할 수 있는 가능성을 확인하고자 하였다
  • 본 논문에서는 국내 최초로 1300EX:] 이상의 고온 확산공정과 그에 따른 산화막의 C-V값의 변화를 처음으로 기술하였다. FZ방식으로 성장시킨 웨이퍼가 CZ방식의 웨이퍼에 비해 산화막질 특성이 못한 것으로 평가 되었다.
  • 본 연구에서는 인가 전압 영역을 -30[V]에서 +10EV]까지 인가하며 측정하였으며 산화막내의 전하량 및 오염정도를 판단하기 위하여 200UC]까지 온도를 상승시킨 후 +20[V], -20[V]의 stress 전압을 인가 함으로써 산화막내의 이동전하량을 측정할 수 있었다.
  • 있다. 이를 통해 고온 '확산공정 적용으로 라인 생산성 향상에 크게 기여할 수 있는 가능성을 확인하고자 하였다
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