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PN 접합면의 증착조건에 따른 $Cu(In,\\;Ga)Se_2$ 박막 태양전지 특성
Characteristics of $Cu(In,\\;Ga)Se_2$ Thin Film So1ar Cells with Deposition Conditions of PN Junction Interface 원문보기

한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1, 2003 July 10, 2003년, pp.331 - 334  

김석기 (한국에너지기술연구원) ,  이정철 (한국에너지기술연구원) ,  강기환 (한국에너지기술연구원) ,  윤경훈 (한국에너지기술연구원) ,  박이준 (한국에너지기술연구원) ,  송진수 (한국에너지기술연구원) ,  한상옥 (충남대학교)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Photovoltaics is considered as one of the most promising new energy technology, because its energy source is omni present, pollution-free and inexhaustive. It is agreed that these solar cells must be thin film type because thin film process is cost-efficive in the fact that it uses much less raw mat...

AI 본문요약
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제안 방법

  • 999%의 순도를 갖는 Cerac사 제품으로 3mm shot 형태이다. 각 원소의 증발은 급격한 온도상승이나 온도하강에 견디며 outgasing0] 적은 PBN crucible 과 탄탈륨 (Tantalum) 열선으로 구성된 effusion cell이 사용되었고, 각 원소의 조성비는 각각의 effusion cell의 온도변화를 통해서 제어하였다. 박막제조는 3단계 공정(three-stage process)으로 제조되었으몌그림 1], 1단계는 기판온도를 350笆까지 상승시킨 후 In, Ga 및 Se을 증착하고, 기판온도를 55CTC까지 상승시킨다.
  • 그 후 2단계에서는 Cu와 Se을 증착하여 결정립이 커다란 Cu(InGa)Se2 박막을 제조한다. 마지막 3 단계에서는 기판온도 550 笆로 유지하면서 1단계와 마찬가지로 In, Ga 및 Se을 재증발시켰으며, 증발시간 2 -10분으로 변화시키면서 Cu(In, Ga)Se2 박막을 제조하였다.
  • 넌!트f 을 제조하였으며, 3단계 증착시 (In, Ga)-selenide의 증발시간 조절을 통해 pn 접합면의 성장조건을 제어하였다, 최종적으로 Al/ZnO/CdS/OVC/Cu(InGa)Se2/ Mo/glass 태양전지를 제조하여 접합계면에 형성된 OVC 층의 성장조건이 전지특성에 미치는 영향을 고찰하였다.

대상 데이터

  • 박막 제조시 사용된 원재료는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se)으로 99.999%의 순도를 갖는 Cerac사 제품으로 3mm shot 형태이다. 각 원소의 증발은 급격한 온도상승이나 온도하강에 견디며 outgasing0] 적은 PBN crucible 과 탄탈륨 (Tantalum) 열선으로 구성된 effusion cell이 사용되었고, 각 원소의 조성비는 각각의 effusion cell의 온도변화를 통해서 제어하였다.
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