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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2, 2003 July 10, 2003년, pp.892 - 895
정수용 (동서대학교 정보시스템공학부) , 우형순 (동서대학교 정보시스템공학부) , 진동우 (동서대학교 정보시스템공학부) , 정귀상 (동서대학교 정보시스템공학부)
This paper describes on RIE(Reactive Ion Etching) characteristics of 3C-SiC(Silicon Carbide) grown on Si(100) wafers. During RIE of 3C-SiC films in this work,
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