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제안 방법
- a 및『Test는 플라즈마 챔버와 RF Match사이에 Prototype Adaptoi■를 설치하여 플라즈마 형성에 따른 임피던스의 변화를 비교 분석하였으며, HP 사의 Network /Spectrum Analyzer 4395A 장비 를 이용해 스미스 차트로 구현함과 동시에 LCR Meter4285와 RF 임피던스 Analyzer에서 측정된 임피던스를 비교 분석하였다.
- 실험을 위해서 그림 4와 같이 개발된 플라즈 마 챔버 임피던스 측정용 Adaptor를 호서대학교 반도체 제조장비 국산화 연구센터가 보유중인 반 도체 식각장비인 P-5000 시스템을 이용한 a-Test 와 버사 반도체 공장의 실제 생산설비를 이용해 P -Test를 마쳤다.
이론/모형
- 플라즈마 식각/중착공정에서 가장 중요한 요소로 는 플라즈마를 발생시키기 위한 RF 전력원과 플라 즈마 챔버내 임피던스의 정합이며, 플라즈마의 형성 시 나타나는 임피던스를 측정하는 것은 생산수율관 리 및 효율적인 장비운용을 위해 대단히 중요한 과 정이다. 현재까지 반도체 제조사 맟 관련 연구소에서 주로 사용되어는 플라즈마 임피던스의 측정방법은 P/N Type의 커넥터와 연결선이 사용되는 VI Probe를 사용하였다. 그러나 반도체 제조설비의 경우 그 특성상 설비가동을 중지하기가 쉽지 않으며, 여러대의 챔버를 대상으로 임피던스를 수시로 측정 하기가 대단히 곤란하였다.
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