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문제 정의
- 더욱이 HF 또는 F2에 의하여 발생되는 오염물질은 주위의 환경에 따라 입자상 오염물질과 가스상 오염물질로의 변환이 빠르게 이루어지고 있어 오염물질의 제어가 매우 어려워지고 있어 HF 또는 F2의 사용으로 인하여 발생되는 문제점에 대하여 정확한 고찰이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 반도체 산업에서 부식제로 이용 되는 HF 및 F2에 의하여 나타나는 다양한 오염물질에 대하여 고찰하고, 이를 제어하는 방법 및 설비에 대하여 검토하고자 한다.
- 따라서 본 연구에서는 불소화합물에 의하여 발생되는 다양한 오염물질의 변화에 대한 연구와 오염물 질 제거설비에 대한 성능을 개선방안 연구 및 개선된 기술을 산업설비로의 적용성에 대한 검토를 하여 새로운 기술개발에 대한 대안을 제시하고자 한다.
- 본 연구는 반도체 생산공정, 정밀유리 가공공정 및 철강산업의 산세공정에서 설비의 부식 또는 세척 을 위하여 사용하는 불소화합물의 처리과정에서 발생하는 문제점을 최소화하면서 제거효율을 극대화 하기 위한 연구이다. 불소화합물은 SiF4, HF, F2, OF?와 같은 가스상 물질과 (NHeSiFs H2SiF6, CaF2, NH4F, NaF와 같은 입자상 물질이 있으며, 이러한 물질은 아래의 반응식에 의하여 환경조건에 따라 입 자상 물질과 가스상 물질로 전환이 빠르게 일어난다.
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