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문제 정의
- 본 논문에서는 방사선 내성이 강한 SiC 다이오드를 방사선 측정에 이용하기 위한 회로의 구성 대하여 살펴보았고, 이를 사용한 실험에서 전자-정공쌍 생성에 의해 발생되는 전류를 신호 처리한 파형을 관측할 수 있었다. 파형의 관측을 통하여 방사선량에 따른 선형성과 창이 넓은 SiC 센서의 측정 한계를 5Krad 이하점을 취해야하는 것을 알 수 있었다.
- 본 실험에는 10-10Krad 대역을 실험해 보았으면 펄스 카운터를 이용한 방사선량의 선형성을 추측해 볼 수 있었다. (c)는 5Krad 때의 검출 파형이고 이때의 특징은 파형이 중첩이 확인되는 시점으로 보인다.
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