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제안 방법
- 가진 사이리스터 소자 14개를 사용하였다. 그림 1은 시험용 사이리스터를 가속열화 하기 위해 사용된 회로를 나타낸 것으로 DC 전원공급 장치에서 IkV의 전압을 인가하고 온도 가속장비의 온도를 10℃로 고정시켜서시험을 수행하였다.
- 본 논문에서는 사이리스터 소자에 일정한 전압과 열을 사용해 가속 연화를 하는 경우 소자의 차단전압 및 누설전류 특성에 미치는 명향에 대해 분석하였다’ 총 14개의 사이리스터를 이용해 가속열화 시험을 진행하였으며, 일정한 시간간격을 두고 특성을 측정하여 초기 특성과 비교 . 분석하였다.
- 사이리스터 소자의 가속열화 시간에 따른 순방향 및 역방향 차단전압 특성과 누설전류 특성에 대해 분석하였다. 초기 1500V 정격인 소자 14개를 사용하여 최대 2750시간까지 가속열화를 진행하였으며 7일에서 10일의 간격으로 소자의 특성을 측정하였다.
- 누설전류 특성에 대해 분석하였다. 초기 1500V 정격인 소자 14개를 사용하여 최대 2750시간까지 가속열화를 진행하였으며 7일에서 10일의 간격으로 소자의 특성을 측정하였다. 초기특성과 비교한 결과 가속열화 시험의 초기에 고장을 일으킨 6개 소자를 제외한 8개 소자의 경우 순방향 차단전압 맟 누설전류 특성은 2500시간 정도의 가속열화가 이루어진 이후에도 큰 변화가 없었으나 역방향 차단전압 및 누설전류 특성은 1000시간 정도의 가속 열화가 이루어진 이후에는 급격하게 저하되는 것을 볼 수 있었다.
대상 데이터
- 가속열화 시험에는 정격전압이 1500V인 사이리스터들 중에서 초기 측정 시에 순방향 차단전압 1735 - 1850V, 역방향 차단전압 2245 - 2305V의 특성을 가진 사이리스터 소자 14개를 사용하였다. 그림 1은 시험용 사이리스터를 가속열화 하기 위해 사용된 회로를 나타낸 것으로 DC 전원공급 장치에서 IkV의 전압을 인가하고 온도 가속장비의 온도를 10℃로 고정시켜서시험을 수행하였다.
- 시험에 사용된 소자들은 최초 31개의 사이리스터 중에서 초기고장이 일어나지 않은 소자를 선별하여 사용하였다. 그림에서 보면 소자의 차단전압이 일정하지 않고 약간씩 차이롤 나타냄을 볼 수 있는데 이것은 소자의 제작 시에 발생하는 결함이나 doping 농도가 소자마다 다르게 나타나기 때문으로 보여 진다.
이론/모형
- 분석하였다. 시뮬레이션을 통한 특성의 분석에는 이차원 공정 시뮬레이터인 ATHENA 와 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 사용하였다.[6]
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