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제안 방법
- KrF 레이저 소스를 사용하여 ZnO 박막을 기판의 온도를 100℃, 300℃, 550℃ 및 700℃로, 챔버 내 주입 산소 분압을 5mTorrt lOmTon, 50mTorr, lOOmToir 및 20(knTorr로 각각 변화시키면서 quartz glass 기판 위에 증착하였으며, 그 결정성, 표면특성, 광학적 밴드갭 맟 면저항 값을 측정하여 다음과 같은 결과를 얻었다.
- 의 진공 채임버 내에 설치하였으며, KrF 펄스 레이저 빔(A=248nm, pulse duration 25ns, 주파수 10Hz)을 9000번 (15 분, 박막의 두께는 약 750nm) ZnO 타겟에 조사하여 증착하였다. ZnO 박막의 증착시 기판을 IR 램프로 조사하여 100℃, 300℃, 550℃ 및 700℃의 온도로 가열시켰다. 또한 기판 위에 증착되는 ZnO 박막의 화학양론적 조성의 변화를 위해 순도 99.
- ZnO 박막의 증착시 기판을 IR 램프로 조사하여 100℃, 300℃, 550℃ 및 700℃의 온도로 가열시켰다. 또한 기판 위에 증착되는 ZnO 박막의 화학양론적 조성의 변화를 위해 순도 99.9%의 산소가스를 주입하여 챔버 내 압력을 각각 5mTorr, lOmTorr, 50mTorr, lOOmTorr 및 200mTorr로 변화시켰다. 그림 1 은 본 연구에서 ZnO 박막의 제작에 사용된 펄스 레이저 증착장치의 개략도이다.
- 이 중 펄스 레이저 증착법은 완성된 박막의 조성이 타겟의 조성에 거의 근접하는 장점이 있으며 결정성 및 표면특성둥이 우수한 장점이 있다. 본 연구에서는 KrF 레이저를 소스로 하는 펄스레이저 증착법으로 순도 99.9%의 ZnO 타겟을 사용하여 quartz glass 기판 위에 ZnO 박막을 제작하였으며, 펄스 레이저 증착 공정 중 기판의 온도를 100℃f 300℃, 550℃ 및 700℃로 각각 변화시켰고, 챔버 내 주입 산소 분압이 각각 5mTorr, lOmTorr, SOmToir, lOOmTorr 및 200mTon가 되게 하였다. Quartz glass 기판 위에 다양한 조건에서 증착된 ZnO 박막의 결정구조는 XRD 법으로, 표면 특성은 AFM 법으로, 광학적 밴드갭의 크기는 photoluminescence 법으로 평가하였고, four-point probe 법으로 전기전도도를 조사하였다.
대상 데이터
- 후 질소 건을 사용하여 건조시켰다. 기판은 순도 99.9%의 ZnO 타겟과 4cm 거리를 두고 bio-5 Ton.의 진공 채임버 내에 설치하였으며, KrF 펄스 레이저 빔(A=248nm, pulse duration 25ns, 주파수 10Hz)을 9000번 (15 분, 박막의 두께는 약 750nm) ZnO 타겟에 조사하여 증착하였다.
- 9%의 ZnO 타겟과 4cm 거리를 두고 bio-5 Ton.의 진공 채임버 내에 설치하였으며, KrF 펄스 레이저 빔(A=248nm, pulse duration 25ns, 주파수 10Hz)을 9000번 (15 분, 박막의 두께는 약 750nm) ZnO 타겟에 조사하여 증착하였다. ZnO 박막의 증착시 기판을 IR 램프로 조사하여 100℃, 300℃, 550℃ 및 700℃의 온도로 가열시켰다.
이론/모형
- 9%의 ZnO 타겟을 사용하여 quartz glass 기판 위에 ZnO 박막을 제작하였으며, 펄스 레이저 증착 공정 중 기판의 온도를 100℃f 300℃, 550℃ 및 700℃로 각각 변화시켰고, 챔버 내 주입 산소 분압이 각각 5mTorr, lOmTorr, SOmToir, lOOmTorr 및 200mTon가 되게 하였다. Quartz glass 기판 위에 다양한 조건에서 증착된 ZnO 박막의 결정구조는 XRD 법으로, 표면 특성은 AFM 법으로, 광학적 밴드갭의 크기는 photoluminescence 법으로 평가하였고, four-point probe 법으로 전기전도도를 조사하였다.
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