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CMP개론 및 현황
The State-of-Art in CMP Technology 원문보기

한국재료학회 2007년도 추계학술발표대회 및, 2007 Nov. 02, 2007년, pp.7.1 - 7.1  

박진구 (한양대학교)

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문제 정의

  • 본 발표에서는 HSS에 사용되는 연마제의 크기, 구조 등을 조절하여 첨가제를 사용하지 않고 높은 선택비를 갖는 슬러리에 대한 특성을 소개한다. Additive free HSS를 이용한 removal rate, selectivity, defect level 등에 대한 결과를 토대로 CMP Mechanism을 설명한다.
  • p>본 발표에서는 차세대 반도체 집적을 위한 핵심공정의 하나인 화학기계적평탄화 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 기술의 개론과 현황에 대하여 소개한다. 반도체 칩 구조의 1차원적 미세화, 2차원적 대면적화 및 3차원적 다층화에 대한 해결책으로, 1985년 IBM에서 종래의 웨이퍼 연마 (Polishing)기술을 도입하면서 반도체 공정의 일대 혁신이 이루어지게 되었다.
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