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NTIS 바로가기한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회, v.9 no.2, 2005년, pp.881 - 883
정학기 (군산대학교 전자정보공학부) , 고석웅 (군산대학교 전자정보공학부) , 나영일 (군산대학교 전자정보공학부) , 정동수 (군산대학교 전자정보공학부)
In case is below length 100nm of gate, various kinds problem can be happened with by threshold voltage change of device, occurrence of leakage current by tunneling because thickness of oxide by 1.5nm low scaling is done and doping concentration is increased. SiO
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