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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2, 2004 July 05, 2004년, pp.906 - 911
김현기 (한국과학기술연구원 마이크로시스템센터) , 구홍모 (한국과학기술연구원 마이크로시스템센터) , 이양두 (한국과학기술연구원 마이크로시스템센터) , 이상렬 (연세대학교 전기전자공학과) , 윤영수 (건국대학교) , 주병권 (한국과학기술연구원 마이크로시스템센터)
In this paper, we used only PR as etching mask, while it used usually Cr/AU as etching mask, and in order to fabricate a photosensor has the increased sensitivity, we investigated on the sensitivity of general type and p-i-n type diode. we designed microchannel size width max 10um, min 5um depth max...
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