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리프트오프 방식을 이용한 탄성표면파 필터의 제조
The Preparation of Surface Acoustic Wave Filter using Lift-off method 원문보기

한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6, 2005 July 07, 2005년, pp.242 - 243  

이동윤 (중부대학교) ,  박재준 (중부대학교) ,  윤석진 (한국과학기술연구원)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

SAW filters were fabricated on $LiNbO_3$ substrates to evaluate frequency response and properties of photolithography. In the both of etch and lift-off methods, lift off method was superior to etch method in fabrication process. Frequency response property was measured by network analyzer...

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제안 방법

  • 3, LiTaOa 등)와 ZnO 다결정 박막(thin film)이 있다. 본 연구에서는 LiNbO:? SAW 필터를 제작하여 주파수 특성을 고찰하였다.
  • PR 두께는 약 1側 였다. 그리고 막에 남아 있는 용매를 제거하기위하여 소프트 베이크를 하였다 소프트 베이크 과정에서 MCB(Monochlorobenzene)처리를 하였다. MCB 처리는 대류식 오븐(convecton oven)에서 80C, 25분간 건조한 후 MCB에 8분동안 노출하고 자연 건조 30분 후에 다시 오븐에서 8010분 동안 건조하였고 마스크 Aligner(MJB21, Karl Suss) 를 사용하여 근접 모드로 300W에서 LiNlmCb 웨이퍼를 12초 동안 노광하였다.
  • 그림 2는 LiNbOa 기판에 single electrode IDT 형태로 제작된 SAW 필터의 주파수응답 특성을 Network Analyzer 를 사용해서 측정한 결과로서, 이 때 사용된 IDT의 파장은 65伽이고 IDT 전극수는 8쌍이며 SAW 전파속도를 3500[m/sec]로 하여 중심주파수는 50[MHz]로 제작하였다. LiNbCh 기판위에 제작된 SAW 필터는 중심주파수가 51.
  • Z1 러므로 이러한 단점을 해결할 수 있는 리프트오프방식을 이용하는데 이 방식은 감광제 제거 용액을 사용하여 감광제와 함께 감광제위에 증착된 금속 막을 제거하고 원하는 금속 패턴만을 형성한다, 그러나 선폭이 미세한 경우 정확한 패턴 형성이 어려운 단점이 있다. 본 연구에서는 이러한 단점을 해결하기 위해 MCB처리를 하여 리프트오프방식으로 정확한 IDT 패턴을 구현 하였다. IDT룰 형성하기 위한 A1 박막은 기판상에 pulsed de reactive sputtering system으로 증착하였다.
  • 현상액은 AZ MMD-s 와 300MFL 로 적정시간 현상 (Development)하였다. 현상액 : DI water의 비는 1:4로 현상 후 DI water로 충분히 세정하고 질소로 송풍 건조하였고 하드 베이크는 115P에서 30분간 건조하였다.
  • MCB 처리는 대류식 오븐(convecton oven)에서 80C, 25분간 건조한 후 MCB에 8분동안 노출하고 자연 건조 30분 후에 다시 오븐에서 8010분 동안 건조하였고 마스크 Aligner(MJB21, Karl Suss) 를 사용하여 근접 모드로 300W에서 LiNlmCb 웨이퍼를 12초 동안 노광하였다. 현상액은 AZ MMD-s 와 300MFL 로 적정시간 현상 (Development)하였다. 현상액 : DI water의 비는 1:4로 현상 후 DI water로 충분히 세정하고 질소로 송풍 건조하였고 하드 베이크는 115P에서 30분간 건조하였다.

대상 데이터

  • IDT룰 형성하기 위한 A1 박막은 기판상에 pulsed de reactive sputtering system으로 증착하였다. 이 패 사용된 타겟은 지름 2", 두께 1/4" 의 A1 타겟(5N)을 사용하였고 타겟과 기판사이의 거리는 90 mm이며, 기판 온도는 RT., 초기진공도는 3x10* Torr이하에서 DC Power 20W, 2 mTorr의 스퍼터링 압력으로 약 1000A의 A1 박막을 증착하였다.
  • 본 실험에서는 그림 1의 uniform 형태의 대칭형 IDT롤 이용하였다. 사용된 IDT는 Single electrode 로 IDT 파장은 65例이고 전극수는 8쌍이다.
  • 사용된 IDT는 Single electrode 로 IDT 파장은 65例이고 전극수는 8쌍이다. PR(Photoresist) coating 은 Hoechst AZ1518을 사용하여 10초 동안 500 rpm, 35초 동안 3500 rpm으로 PR coating하였다.

이론/모형

  • 이에 상응하는 부품 또한 관심의 대상이 되고 있으며 이에 따룬 시스템과 부품 개발이 더욱더 중요한 실정이다. 본 연구는 통신부품인 SAW(Surface Acoustic Wave ; 표면 탄성표D 필터를 제작하기 위해 마스크 상에 설계된 패턴을 공정제어 규격 하에 웨이퍼 상에 구현하는 사진 공정 (photolithography) 기술을 적용하였다.[1] 이를 위하여 패턴이 형성되어 있는 마스크를 통하여, 특정한 파장을 갖고 있는 빛을 감광제(photoresist)가 도포되어 있는 웨이퍼 상에 노출(exposure)시켜 광화학 반응이 일어나게 되며, 현성(development)공정 시 화학반응에 의하여 패턴 형성을 한다.
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