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제안 방법
- 방법을 응용하였다. 본 연구에서는 주석의 유기 금속 화합물 중 dibutyltin diacetate를 사용하여 플라즈마 화학 기상 증착법아ECVD)에 의해 SnO2 박막을 제조하였으며, 산소 분압 및 증착 온도를 변화시켜 SnO2 박막의 구조적 특성을 조사하였다.
- 주석원료는 98℃ 로 유지되는 glass bubbler 내에서 기화되어 Ar gas에 실려 반응로로 유입되는데 이 패 가스 응축을 방지하기 위해서 모든 path line을 100℃ 이상으로 가열하였다. 반응로로 유입된 반응기제를 충분하게 혼합하기 위해 shower기를 설치하였으며 K-type 열전대를 이용하여 시편 표면의 온도를 측정하였다. 기판으로는 Si wafer (100) 롤 사용하였으며 acetone 및 alcohol로 각 20룬간초음파 세척 후 반응로에 장입하였다.
- 기판으로는 Si wafer (100) 롤 사용하였으며 acetone 및 alcohol로 각 20룬간초음파 세척 후 반응로에 장입하였다. 초기 압력이 3×10-2 torr가 될 때까지 pumping한 후 증착온도인 275~425℃ 까지 가열하였으며 기퍈 표면의 불순물 제거 및 막과의 접합성 향상을 목적으로 증착 전 기판에 Ar 이온 에칭을 20분간 실시하였다.
- 본 연구에서는 추석 원료물질로 dibutyltin di acetate와 산화제로 O2 가스를 사묭하여 PECVD 공정을 봉해 샨화주석막을 제조하고 박막의 구조적 특성을 분석하였다. 기판온도의 증가에 따라 증착속도 또한 선형적으로 증가하였으며, 산소 분압이 높은 조건에서 제조된 박막은 (110), (101) 방향으로 우선성장 하였다.
대상 데이터
- SnO2 박막을 제조하기 위하여 본 연구에서 사용된 PECVD 장치는 반응기체 공급계, 반응로, 펌프, RF 전원공급 장치로 구성되어 있으며 주석 원료로는 유기금속 화합물인 dibutyltin diacetate[(C4H9)2-Sn(OOCCH3)2]를 사용하였다. 반응촉진을 위한 수증기를 반송하는 力체로는 Ar(99.
- 반응촉진을 위한 수증기를 반송하는 力체로는 Ar(99.99%)을, 산화물 형성을 위한 반응기체로는 O2(99.99%) 가스를 사용하였으며 이들의 유속은 MFC(Mass Flow Controller) 에서조절되었다. 주석원료는 98℃ 로 유지되는 glass bubbler 내에서 기화되어 Ar gas에 실려 반응로로 유입되는데 이 패 가스 응축을 방지하기 위해서 모든 path line을 100℃ 이상으로 가열하였다.
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