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실리콘 박막의 레이저 가공 시 발생하는 광기계적 손상 해석
Analysis of Photomechanical Damages in Laser Drilling of Thin Silicon Wafer 원문보기

한국정밀공학회 2008년도 추계학술대회 논문집, 2008 Nov. 12, 2008년, pp.747 - 748  

오부국 (포스텍 기계공학과 대학원) ,  김동식 (포스텍 기계공학과) ,  김태현 (이오테크닉스) ,  전은숙 (이오테크닉스) ,  김남성 (이오테크닉스)

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문제 정의

  • 본 연구에서는 실리콘 박막의 레이저 미세 가공 시 열충격에 의해 발생하는 기계적 손상을 해석하였다. 계산을통해 시편 전면에서는 1~2 GW/cm2 조사도에서 원주방향 및 반경방향 균열이 발생할 수 있음을 보였다.
  • 레이저를 이용하여 실리콘을 가공 시 발생하는 광기계적 손상에 대한 기존의 연구결과를 정리하면 실리콘 재료의 기계적 손상기작은 다음과 같다: (1) 열응력에 의한 손상[3], (2) 재료의 상변화 과정에서 발생하는 손상[4,5]. 실리콘의기계적 손상에 대한 기존 연구가 대부분 벌크(bulk) 웨이퍼에 국한된 반면 본 연구에서는 100 m 미만의 실리콘 박막의 광기계적 손상에 대한 실험적, 수치적 해석을 수행하고자 한다. 특히 나노초 레이저를 이용한 미세 드릴링 시발생하는 열탄성 거동을 분석하고 열충격에 의한 손상기작 을 규명하고자 한다.
  • 실리콘의기계적 손상에 대한 기존 연구가 대부분 벌크(bulk) 웨이퍼에 국한된 반면 본 연구에서는 100 m 미만의 실리콘 박막의 광기계적 손상에 대한 실험적, 수치적 해석을 수행하고자 한다. 특히 나노초 레이저를 이용한 미세 드릴링 시발생하는 열탄성 거동을 분석하고 열충격에 의한 손상기작 을 규명하고자 한다.
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