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제안 방법
- 광학현미경을 이용하여 단면을 관찰하였고, 표면경도를 마이크로 비커스 경도계(Mitutoyo 하중 100g, 하중시간 15sec)를 이용하여 측정하였다.
- 저온 플라즈마 침탄처리는 스퍼터링처리가스를 배기하고, Hz, Ar, CH4 가스를 주입하여 4 Torr로 처리압력을 고정하고, 470℃의 온도에서 15시간 동안 실시하였다. 그다음, 침탄처리 가스를 배기 후 질화처리가스를 주입하여 질화를 실시하였다. 질화처리 시 처리온도 및 압력은 370℃, 2torr로 고정하고 Ar의 양을 0-20%로 조절하여 질화층에 미치는 영향을 조사하였다.
- 나타내었다. 디스크 형태의 시편(① 25mm x h5mm)을 SiC사포를 이용하여 1200번까지 순차적으로 연마 후 알루미나 슬러리로 경면처리 하였다. 아세톤에서 초음파 세척하여 Plused-DC 플라즈마 질화 장비에 장입하고, 초기배기를 50 mToir까지 실시하고 플라즈마 질탄화를 실시하기 전 300℃에서 공정온도 까지 상승하는 동안 (약 40분) H2, Ar 분위기에서 스퍼터링을 실시하여 표면을 깨끗이 하고, 표면에 결함을 형성하여 C의 확산이 용이하도록 활성화 시켰다.
- 디스크 형태의 시편(① 25mm x h5mm)을 SiC사포를 이용하여 1200번까지 순차적으로 연마 후 알루미나 슬러리로 경면처리 하였다. 아세톤에서 초음파 세척하여 Plused-DC 플라즈마 질화 장비에 장입하고, 초기배기를 50 mToir까지 실시하고 플라즈마 질탄화를 실시하기 전 300℃에서 공정온도 까지 상승하는 동안 (약 40분) H2, Ar 분위기에서 스퍼터링을 실시하여 표면을 깨끗이 하고, 표면에 결함을 형성하여 C의 확산이 용이하도록 활성화 시켰다. 저온 플라즈마 침탄처리는 스퍼터링처리가스를 배기하고, Hz, Ar, CH4 가스를 주입하여 4 Torr로 처리압력을 고정하고, 470℃의 온도에서 15시간 동안 실시하였다.
- 따라서 이 두 가지 공정을 단계적으로 실시하여 높은 표면 경도와 두꺼운 경화층 모두 얻을 수 있다. 이 실험 에서는 침탄처리 후 질화처리 시 Ar의 영향을 조사 하였다.
- 아세톤에서 초음파 세척하여 Plused-DC 플라즈마 질화 장비에 장입하고, 초기배기를 50 mToir까지 실시하고 플라즈마 질탄화를 실시하기 전 300℃에서 공정온도 까지 상승하는 동안 (약 40분) H2, Ar 분위기에서 스퍼터링을 실시하여 표면을 깨끗이 하고, 표면에 결함을 형성하여 C의 확산이 용이하도록 활성화 시켰다. 저온 플라즈마 침탄처리는 스퍼터링처리가스를 배기하고, Hz, Ar, CH4 가스를 주입하여 4 Torr로 처리압력을 고정하고, 470℃의 온도에서 15시간 동안 실시하였다. 그다음, 침탄처리 가스를 배기 후 질화처리가스를 주입하여 질화를 실시하였다.
- 그다음, 침탄처리 가스를 배기 후 질화처리가스를 주입하여 질화를 실시하였다. 질화처리 시 처리온도 및 압력은 370℃, 2torr로 고정하고 Ar의 양을 0-20%로 조절하여 질화층에 미치는 영향을 조사하였다.
대상 데이터
- 이 실험에 사용된 AISI304L 시편의 조성은 아래의 Table1에나타내었다. 디스크 형태의 시편(① 25mm x h5mm)을 SiC사포를 이용하여 1200번까지 순차적으로 연마 후 알루미나 슬러리로 경면처리 하였다.
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