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결합구조의 변화에 따른 유기물 박막의 특성분석 원문보기

한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회, 2006 May 01, 2006년, pp.101 - 104  

오데레사 (청주대학교) ,  김홍배 (청주대학교)

초록
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유기물 박막에서 누설전류의 크기는 트랜지스터의 성능과 관련된 중요한 요소이다. 일반적으로 사용되고 있는 반도체 소자에서의 절연 막으로서 $SiO_2$ 표면을 유기물로 처리하여 $SiO_2$ 박막 표면의 화학적 반응에 대하여 FTIR 분석법을 이용하여 조사하였다. $1100cm^{-1}$에서 $1570cm^{-1}$까지의 주픽에 대하여 분석한 결과, OTS처리함량에 따라서 샘플의 $Si-CH_3$ 픽의 함량이 증가하는 것을 알 수 있었으며, 0.7%의 샘플에서 급격한 변화가 일어나고 있다는 것을 확인하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 하지만 기존의 반도체 소자를 구현하는 트랜지스터 기술은 실리콘 무기물 반응을 기본으로 이루어져 있어서 유기물에 대한 연구는 거의 이루어져 있지 않았으며, 특히 박막에서의 유기화합물에 대한 연구는 물리 화학 전자공학 등을 포괄적으로 포함하는 나노기술을 요구하고 있다.[4-6] 본 논문에서는 이러한 실리콘 반도체내에서의 유기화학반응에 대한 연구를 진행하면서 실험에 사용된 여러 가지 유기물의 전기적 특성 및 화학적 분석을 통한 유기물 박막의 특성변화에 대하여 연구하였다.
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