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문제 정의
- 본 연구는 밀폐된 Chamber를 이용한 소수성 표면의 웨이퍼 건조 공정에서 공정 진행 후 파티클 증가량을 최소화 하기 위한 Chamber 배기 압력 , IPA Vapor 유량 그리고 IPA Vapor 농도의 영향을 확인 하기 위해 진행되었으며, Chamber 배기 압력이 가장 큰 영향을 주는 인자임을 확인 할 수 있었으며, 이때 Chamber 내 산소의 농도는 Dry Cover를 이용한 Chamber 밀폐 및 Purge N2중진을 통해 2vol% 이하로 감소시킬 수 있었다. 본 연구의 결과로 파티클의 증가량은 +35개(0.
- 본 연구는 소수성으로 치환된 웨이퍼 표면의 효율적인 건조를 위해 공정 Chamber를 밀폐하여 산소유입을 차단하였으며, 이로서 DIW 처리 후 미세 물방울들과 주변 산소와의 결합을 방지하여 SiFx의 SiOx로의 치환을 방지하고 건조 가스로 IPA Vapor를 사용함으로써 그 사용량을 효과적으로 줄일 수있도록 하였으며, 밀폐된 Chamber 내 N2가스를 Purge 시켜줌으로써 웨이퍼로의 재오염을 방지하여건조 공정 후 Particle 증가량을 최소화 하고자 함이며, 이때의 공정 인자에 대한 영향성을 확인하는것을 목표로 하였다. [2-5]
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