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문제 정의
- 종래의 플라즈마 제염 연구에서는 주로 기체 혼합비를 조절하고와 이온보조식각반응을 이용하여 반응율을 높이고 자 하였으나 이 연구에서는 사용기체를 달리하여 반응율을 획기적으로 증가시켰다. 또한 표면 식 각 반응에서 발생하는 반응 생성물의 성분을 분석하여 플라즈마와 코발트의 반응기구를 분석하고 자 하였다.
- 방사성 금속 표면의 표면 제염 공정으로 특히 표면 고착성 오염에 적용성이 뛰어난 것으로 알려져 있는 플라즈마 제염 기술의 제염 효율을 증진시키기 위한 실험을 수행하였다. 원자력 시설에서 발생하는 배관과 밸브 기기 등의 금속 폐기물의 주요 오염 핵종은 부식생성물인 코발트로 eCo 핵종은 반감기가 5.
- 따라서 플라즈마 제염 기술을 개발하기 위하여 여러 연구자들이 다양한 플라즈마 출력과 이온보조식각 등의 기법을 도입하여 코발트 금속 혹은 금속표면의 코발트 산화막의 제염 연구를 수행하여 왔다. 이 연구에서는 실용화를 위한 연구가 진행되고 있는 플라즈마 제염 기술의 보다 높은 제염율 달성을 위하여 기존 연구에서 사용되었던 CF4/O2 기체와 함꼐 SF02, NF3 등의 기체 플라즈마를 이용하여 대표적인 오염 핵종인 코발트의 표면 식각율 측정 실험을 수행하였다. 종래의 플라즈마 제염 연구에서는 주로 기체 혼합비를 조절하고와 이온보조식각반응을 이용하여 반응율을 높이고 자 하였으나 이 연구에서는 사용기체를 달리하여 반응율을 획기적으로 증가시켰다.
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