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문제 정의
- 초접합 구조에 관한 기술은 1990년대 후반에 일본의 도시네"(Toshoba) 사, 미쓰비시 (Mitsubishi) 및 한국의페 어 차일드 (Fairchild) 사 독일의 지멘스(Siemens) 사둥에서 제시한 기술로서, 전력용 MOSFET의 각 치수 & 비율을 최적화하여 내압이 높으면서, 온(on)저항이 낮은 가장 이상적인 설계비율과 구조(일명 초접합 구조) 를 달성하는 것을 목적으로 한다
- 기술의 골자는 게이트의 구조를 손가락형으로 구성함을 통하여 MOSFET의 스위칭 속도를 향상시키는 것을 목적으로 하며, 주로 GHz의 주파수로 구동하는 RF 분야에서 먼저 개발되어 전력용 MOSFET에 응용되고 있는 것으로 분석된다.
- 본 논문에서는 전력용 MOSFET의 기술동향에 대하여 중점적으로 고찰하고자 한다. 특히 전력용 MOSFET의 개발이 시작된 1970년대부터 어느 정도 특성이 정립된 1990년대 초반까지는 B.
- 본 연구에서는 전력용 MOSFET의 기술동향에 대하여 논무 및 특허문헌을 중심으로 분석하였다. 반도체의크기(선폭)은 급격하게 저감되고’ 동작 주파수는 초고주파화 되는 가운데, 반도체 공급전압은 이미 1[V] 미만이 요구가 늘어나고 있다.
가설 설정
- 1) 강인한 물리적 특성으로 인하여 제조가 어렵다.
- 2) 높욘 항복 전계를 갖는다.
- 2) 단결정으로 크게 성장시키는 것이 어렵다.
- 3) 불순물 도핑이 상대적으로 어렵다.
- 4) 박막(특히 에피텍셜) 성장이 어렵다.
- 5) 탄화규소(SiC) 웨이퍼의 가공 및 연마가 어렵다.
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