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문제 정의
- 즉, 산화막 두께 및 유전율 등에 따라 전송특성에 심각한 영향을 미치고 있다. 그러므로 본 논문에서는 문턱 전압이 하의 인가전압 조건에서 게이트 산화막의 특성이 전송특성에 미치는 영향을 고찰하고자 한다. 즉, 문턱전압이하에서 산화막 두께에 따른 터널링 전류의 변화를 중심으로 고찰함으로써 산화막 특성이 전자전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다.
- 그러므로 본 논문에서는 문턱 전압이 하의 인가전압 조건에서 게이트 산화막의 특성이 전송특성에 미치는 영향을 고찰하고자 한다. 즉, 문턱전압이하에서 산화막 두께에 따른 터널링 전류의 변화를 중심으로 고찰함으로써 산화막 특성이 전자전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 2장에서는 이론적 배경에 대하여 설명할 것이며 3 장에서는 결과를 고찰하고 4장에서 결론을 맺을 것이다.
- 본 연구에서는 FinFET에서 게이트산화막 특성에 따른 서브문턱스윙 및 터널링 등 전송특성의 변화를 고찰하였다. 제시한 전송모델의 타당성을 입증하기 위하여 이차원 시뮬레이션값과 서브 문턱 스윙 값을 비교하였으며 매우 잘 일치함을 알 수 있었다.
- 제시한 전송모델의 타당성을 입증하기 위하여 이차원 시뮬레이션값과 서브 문턱 스윙 값을 비교하였으며 매우 잘 일치함을 알 수 있었다. 게이트산화막의 두께 및 유전율 등 산화막 특성에 따른 서브문턱스윙의 관계를 분석하여 우수한 서브 문턱 스윙 값을 갖기 위한 게이트산화막의 관계를 고찰하였다. 문턱전압이하 영역에서 보다 자세히 전송 특성을 분석하기 위하여 터널링전류를 이용하였다.
가설 설정
- 대부분의 캐리어가 이동되어지는 최소 채널 포텐셜 ① min 은 기虬3)/如=0어서 구할 수 있으며 이때 전류 는 자유전자의 총량에 비례하며 이의 밀도는 고전적 볼쯔만통계를 따른다고 가정한다. 열적 전류 八a와 터널링전류 /s”의 합으로 丄 를 구할 수 있다.
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