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제안 방법
- Seed layer 가 증착된 Si 웨이퍼에 Positive PR 인 AZ9260 을 스핀코팅을 하고 포토마스크를 사용하여 soft baking 을 하여 몰드를 제작 하였다. 전주공정의 특성상 이형을 하게 되는데 이때 원활한 이형을위해서 몰드에 구배각을 준다.
- 8 은 몰드와 양극 사이의 거리에 따른 두께분포를 나타낸다. 거리를 1mm, 5mm, 5mm, 10mm, 30mm 로 바꾸어가며 10㎛두께를 증착했다. 몰드와 양극사이의 거리가 10mm 이상이 되었을 때 균일한 두께 분포를 나타냄을 알 수 있다.
- 앞 절에서의 결과를 적용하여 파인메탈마스크를 제작하였다. 도금 두께는 약 15 ㎛이고, 몰드와 양극간의 거리는 30mm 로 했다.
- 전주를 하기 위해 포토 리소그래피 (photolithography) 공정을 이용하여 몰드를 제작했다. Si 웨이퍼에 e-bearn evaporator 를 사용하여 seed layer를 증착한 후 스핀코터를 이용해 PR 을 도포하고soft baking 을 한다.
대상 데이터
- (3) 두께 15 ㎛, 개구부 크기 50 ㎛, 패턴 최소간극은 10 ㎛ 인 원형 및 사각형 파인메탈마스크를 제작하였다.
- 본 연구에서는 설파민산 니켈욕(nickel sulfamate acid electrolyte)을 사용했으며, 설파민산 니켈 욕의 구성과 작업조건을 table2 에 나타내었다.
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