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제안 방법
- Al doped ZnO 박막을 400 x 400 mm의 대면적 증착을 위해 5 x 25 inch 대형 사각 target에 bipolar pulse dc를 인가하여 균일도를 향상시켰다. 다양한 인가 전력과 다양한 기판-타겟 간의 거리에서 최적 조건을 찾고, 주파수에 따른 특성을 조사하였다.
- Al doped ZnO 박막을 400 x 400 mm의 대면적 증착을 위해 5 x 25 inch 대형 사각 target에 bipolar pulse dc를 인가하여 균일도를 향상시켰다. 다양한 인가 전력과 다양한 기판-타겟 간의 거리에서 최적 조건을 찾고, 주파수에 따른 특성을 조사하였다. 약 700 nm의 두께에서 80 % 이상의 투과도, 2.
- 많은 증착법 중에 본 연구에서는 bipolar pulsed dc magnetron sputtering을 사용했다. 이것은 일반 DC에 비해 아킹을 줄일 수 있고, 대면적화가 쉬우며, 저온 공정이 가능하며, RF에 비해 가격이 저렴하고 운용이 용이하다는 것이 장점이다.
- 압력 및 power, T-S (Target - Substrate) 거리가 경제적 증착 속도, 두께 균일도, 기판 온도에 영향을 주게 된다. 본 연구에서는 knob parameter를 조절하여, 400 x 400 mm 대면적 기판에서 bipolar pulse dc를 이용하여 균일한 AZO를 증착하고 특성을 조사하였다.
- 5 %로 가장 균일했다. 이 2 kW의 인가 전력에서 T-S 거리에 따른 효과를 조사하였다. 60 mm에서 100 mm로 거리가 멀어질수록 증착속도는 약 80% 감소하지만, 비저항은 80 mm일 때 가장 낮은 값을 얻을 수 있었다.
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