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전기화학적 방법을 이용한 Ga-ZnO film
Ga-ZnO film using electrochemical method 원문보기

한국표면공학회 2009년도 추계학술대회 초록집, 2009 Oct. 14, 2009년, pp.151 - 151  

심원현 (한국기계연구원 부설 재료연구소) ,  김영태 (한국기계연구원 부설 재료연구소) ,  박미영 (한국기계연구원 부설 재료연구소) ,  임동찬 (한국기계연구원 부설 재료연구소) ,  이규환 (한국기계연구원 부설 재료연구소) ,  정용수 (한국기계연구원 부설 재료연구소)

초록
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ZnO 박막은 큰 밴드 갭 및 가시광 영역에서 높은 광투과성을 가지며, 제조조건에 따라 비저항의 범위가 폭넓게 변화하므로 태양전지, 평판 디스플레이의 투명 전극뿐만 아니라 음향공전기, 바리스터 등에 이용되고 있다. ZnO 박막의 전도성을 향상시키기 위해서 일반적으로 Al, Ga, Ti, In, B, H(n-type), 등과 N, As(p-type)의 도펀트를 사용한다. 본 연구에서는 전기화학적인 방법을 사용하여 ITO/glass위에 ZnO film에 농도에 따른 Ga을 doping 하여 전기전도성 향상과 밴드갭을 넓힘으로서 전자의 recombination을 방지하여 유기태양전지의 효율을 높이는데 목적을 두었다.

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문제 정의

  • 5 조사조건 한에서 1% 이하로 매우 낮게 알려져 있다. 2 본 연구에서는 전기화학적인 방법을 사용하여 ITO/glass위에 buffer layer로 사용되는 ZnO film에 농도에 따른 Ga을 doping 하여 전기전도성 향상과 밴드갭을 넓힘으로서 유기태양전지의 효율을 높이는데 목적을 두었다.
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