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문제 정의
- 양자세선 구조에서 전자 및 정공의 부띠에너지, 파동함수, 부띠에너지 및 부띠천이 에너지를 가변메시 유한차분법으로 결정하였고, 변형 효과와 비포물선 효과를 고려한 것과 고려하지 않은 양자세 선에 대하여 계산하였다. 계산된 결과를 광루미네센스 측정으로 관측한 부띠에너지 천이와 비교하여 변형효과와 비포물선 효과에 대하여 연구하였다. 반도체 양자세선의 전자적 구조는 변형효과와 비포물선 효과에 의하여 많은 영향을 받고 있는 것이 알 수 있었다.
- 전자적 부띠 구조를 정확하게 결정하기 위해서는 변형효과와 비포물선 효과를 고려하여 계산하면 나노 양자구조의 전자적 구조를 비교적 정확하게 계산 할 수 있다. 본 연구에서는 양자세선의 격자 차이에 따른 미세 구조 형태에 의한 변형효과와 전도대역에서 전자 에너지의 비포물선 효과가 양자세선의 전자적 성질에 미치는 영향에 대해여 조사하였다. 양자세선 구조에서 전자 및 정공의 부띠에너지, 파동함수, 부띠에너지 및 부띠천이 에너지를 가변메시 유한차분법으로 결정하였고, 변형 효과와 비포물선 효과를 고려한 것과 고려하지 않은 양자세 선에 대하여 계산하였다.
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