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문제 정의
- 그러나 다른 저장 매체들에 비해 단위용량당 가격이 비싼 점을 보완하고자 메모리 집적도를 높이기 위해 소자의 크기를 줄일 때 소자의 절연층 두께 감소에 의한 누설 전류의 발생, 단채널 효과 및 협폭효과 문제들에 의해 소자 크기의 축소가 제한을 받게 된다. 이러한 문제점들을 개선하기 위해 본 연구에서는 FinFET구조 위에 ONO (Oxide-Nitride-Oxide)층을 적층한 멀티-비트 특성을 나타내는 플래시 메모리 소자를 제안하였다. 고집적화에 유리하고 소자의 작동전압을 크게 줄일수 있으며 소자의 크기가 작아지는 단채널효과의 문제점을 해결할 수 있는 FinFET구조에서 제어게이트를 제어게이트 1과 제어게이트 2로 나누어 주어 독립적으로 쓰기 및 소거 동작을 제어할 수 있다.
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