[논문]Fabrication of the piezoresistive pressure sensor using implantation steps

Hong, K.K.; Jung, Y.C.; Cho, J.H.; Hong, S.K.; Kim, C.J.

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[국내논문] Fabrication of the piezoresistive pressure sensor using implantation steps 원문보기

대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회, 2006 June 21, 2006년, pp.559 - 560

Hong, K.K. (Dept. of Electrical and Computer Eng., University of Seoul) , Jung, Y.C. (Dept. of Electrical and Computer Eng., University of Seoul) , Cho, J.H. (Dept. of Electrical and Computer Eng., University of Seoul) , Hong, S.K. (Dept. Digital Electronic Design, Hyejeon College) , Kim, C.J. (Dept. of Electrical and Computer Eng., University of Seoul)

Abstract ▼ AI-Helper

The paper presents solutions of conventional piezoresistive pressure sensors. Deflection of diaphragm by external stress causes some problems, because the electrode is deposited on the diaphragm formed piezoresistors. To solve these problems, piezoresistors is formed by two implantation steps. To fabricate diaphragm, the backside silicon etching step is done by immersing the wafer into TMAH solution. $30{\mu}m$ thick diaphragm is obtained. Sensitivity of the piezoresistive pressure sensor fabricated is 48.6 mV/V-psi.

AI 본문요약
AI-Helper

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제안 방법

Deflection of diaphragm by external stress causes some problems, because the electrode is deposited on the diaphragm formed piezoresistors : peeling off the metal layer from the substrate, degradation of sensitivity, difficulty for controlling the offset voltage and degradation of thermal properties. Therefore, this thesis proposes a method of forming piezoresistors using two implantation steps. As a result, the electrode is placed on the outside of the diaphragm formed piezoresistors.

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