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프린팅 방법으로 형성된 전극을 이용한 유기 박막 트랜지스터의 제작 및 특성 분석
Fabrication of Organic Thin Film Transistors using Printed Electrodes 원문보기

대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회, 2009 July 14, 2009년, pp.1336 - 1337  

김정민 (명지대학교 나노공학과) ,  서일 (명지대학교 나노공학과) ,  김용상 (명지대학교 나노공학과)

초록
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본 논문에서는 유기 박막 트랜지스터의 전극을 잉크젯 프린팅과 스크린 프린팅 방법을 이용하여 유기 박막 트랜지스터를 제작하였다. 전극으로 PEDOT:PSS와 Ag 잉크를 사용하였고, 게이트 절연막으로 polymethyl methacrylate (PMMA)와 poly(4-vinylphenol) (PVP)를 사용하였다. 유기물 활성층으로 pentacene을 진공 증착하였다. 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터는 전계이동도 (${\mu}_{FET}$) $0.068\;cm^2$/Vs, 문턱전압 ($V_{th}$) -15 V, 전류 점멸비 ($I_{on}/I_{off}$ current ratio) >$10^4$의 전기적 특성을 보였고, 스크린 인쇄 방법을 이용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터는 전계이동도 (${\mu}_{FET}$) $0.016\;cm^2$/Vs, 문턱전압 ($V_{th}$) 6 V, 전류 점멸비 ($I_{on}/I_{off}$ current ratio) >$10^4$의 전기적 특성을 보였다. 이를 통하여 프린팅 방법을 이용한 유기 박막 트랜지스터 단일 소자 및 유기 전자 회로 제작의 가능성을 확인 하였다.

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문제 정의

  • 초기 낮은 VDS에서 높은 전도도를 가지고 VDS가 증가할 때 전도도가 감소하는 것은 pentacene과 소스/드레인 전극이 ohmic-contact 되었다는 것을 의미한다. Pentacene 박막 트랜지스터의 전달 특성을 측정하기 위하여. VDS=-20 V로 고정하고, VGS 전압을 -40 V에서 20 V까지 0.
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