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실리콘에 $BF_2$로 이온주입후에 Boron 이온의 일차원 및 이차원적인 분포해석
Analysis of one- and two-dimensional boron distribution in implanted $BF_2$ silicon 원문보기

한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19, 2006 Nov. 09, 2006년, pp.99 - 100  

정원채 (경기대학교 전자공학과)

초록
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$BF_2$ molecule 이온주입은 ULSI기술에 있어서 ultra shallow 정합형성을 위해고 P-MOS를 제작하는데 매우 유용한 기술이다. 주입된 boron 이온의 분포를 위해서 $0.05{\mu}m$ 나노스케일의 마스크사이즈의 패턴에 이온 주입한 결과를 일차원적인 분포해석을 위해서 UT-Marlowe tool을 사용하여 gauss 및 pearson 모델의 도핑분포를 나타내었다. 또한 이 데이터를 TSUPREM4에 적용하여 이차원적인 도핑분포와 열처리 후에 boron의 gauss 및 pearson의 모델의 도핑분포를 본 논문에 나타내었다.

AI 본문요약
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대상 데이터

  • BF2로 이온 주입된 boron 이온의 일차원 및 이차원적인 도핑농도분포에 관한 해석을 컴퓨터시뮬레이션을 통하여 그림으로 나타내었다. 본 연구에서는 0.05风n 나노 사이즈의 마스크에 BF2를 실리콘기판으로 이온주입 하였다. 반도체 나노기술을 컴퓨터모의공정실험을 통하여 일차 원 및 이차원적인 분포를 해석할 수가 있었다.
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