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제안 방법
- 논문에서 알려진 산화 온도는 50 0C~900C지만, 서론에서 언급한 이유로 인하여 본 실험에 바로 적용하:기에는 무리가 있다. 따라서 본 실험에서는 우선 열처리 온도조건을 결정하기 위하여 TG-DTA 분석을 봉해 분석 샘플별 열처리 온도를 결정하였다.
- [6] 하지만, 열처리 시 온도 profileOl 제시되지 않아, 실제 실험의 응용에는 문제가 있었다. 본 실험에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 여러 온도 profile에서 GaN 단결정 파우더의 열처리를 실시하고, 이를 통해 얻어진 분말을 XRD, XPS, IR 분석을 통해 산화의 정도를 분석하였다. 분석의 대조군으로는 앞에서 언급한 Ga・metal의 산화에 의해서 얻어진 sample과 실험에 사용한 GaN 단결정 파우더를 사용하였다.
- 범위 밖의 온도인 1300P로 결정하였다. 열처리 시승온 속도는 101/분으로 하였으며, 4개의 열처리 샘플마다 10분의 holding time을 유지하였고, 역반응을 방지하기 위하여 상온 급냉을 시켰다. 이렇게 만들어진 4개의 샘플에 대하여 XPS, XRD, IR 분석을 실시하였다.
- 열처리 온도는 논문 제시 온도인 500C, 흡열에서 발열로 변화하는 온도인 1033C, 1차 변곡점으로 보이는 1124 분석 범위 밖의 온도인 1300P로 결정하였다. 열처리 시승온 속도는 101/분으로 하였으며, 4개의 열처리 샘플마다 10분의 holding time을 유지하였고, 역반응을 방지하기 위하여 상온 급냉을 시켰다.
- 열처리는 창고문헌에서 처럼 air 분위기에서 실시하였으며, 산화반응 속도를 빠르게 하기 위하여 판상으로 만들어진 시료 샘플을 곱게 갈아 powder 시료로 만들어 열처리릂 실시하였다. 논문에서 알려진 산화 온도는 50 0C~900C지만, 서론에서 언급한 이유로 인하여 본 실험에 바로 적용하:기에는 무리가 있다.
- 열처리 시승온 속도는 101/분으로 하였으며, 4개의 열처리 샘플마다 10분의 holding time을 유지하였고, 역반응을 방지하기 위하여 상온 급냉을 시켰다. 이렇게 만들어진 4개의 샘플에 대하여 XPS, XRD, IR 분석을 실시하였다.
대상 데이터
- 본 실험에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 여러 온도 profile에서 GaN 단결정 파우더의 열처리를 실시하고, 이를 통해 얻어진 분말을 XRD, XPS, IR 분석을 통해 산화의 정도를 분석하였다. 분석의 대조군으로는 앞에서 언급한 Ga・metal의 산화에 의해서 얻어진 sample과 실험에 사용한 GaN 단결정 파우더를 사용하였다.
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