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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9, 2008 June 19, 2008년, pp.227 - 227
Park, Seung-Beom (Chungju National Univ.) , Song, Woo-Chang (Chungju National Univ.) , Lim, Dong-Gun (Chungju National Univ.) , Yang, Kea-Joon (Chungju National Univ.) , Shim, Nak-Soon (Kangwon National Univ.) , Lee, Sang-Kyo (Kangwon National Univ.)
CdS is II-VI semiconductor with a wide band gap of approximately 2.42 eV. CdS is the most popularly employed heterojunction partner to p-CdTe due to its similar chemical properties. The as-deposited films are annealed in Rapid Thermal Annealing (RTA) system in various atmosphere(Air, Vacuum and
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