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[국내논문] PC1D를 이용한 결정질 실리콘 태양전지 최적화
Optimization of High Efficiency Single Crystalline Silicon Solar Cell by Using PC1D 원문보기

한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9, 2008 June 19, 2008년, pp.195 - 196  

이용우 (성균관대학교) ,  이영석 (성균관대학교) ,  한규민 (성균관대학교) ,  이준신 (성균관대학교)

초록
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결정질 실리콘 웨이퍼의 도핑농도와 도핑깊이, 비저항은 태양전지의 효율을 결정하는데 매우 중요한 요소이다. 높은 효율을 갖는 태양전지의 설계를 위해 PC1D를 이용해 태양전지의 에미터 도핑농도와 깊이, 베이스 비저항을 조절하였다. 최적화 결과 emitter peak doping $1\times10^{19}cm^{-3}$와 depth factor $1{\mu}m$, base $\rho$ $ 0.1\Omega$-cm, 즉 sheet resistance $69.15\Omega$/square와 $X_j$ $1.603{\mu}m$일 때 $I_{sc}$ = 5.478(A), $V_{oc}$ = 0.7013(V), $P_{max}$ = 2.828(W), FF = 73.61(%), Efficiency = 19.03(%)의 고효율을 얻을 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Doping depth, doping concentration, and resistivity of crystalline silicon solar cell are variables which take important portion in cell's efficiency. To get highly efficient solar cell, PC1D is used to calculate $I_{sc}$, $V_{oc}$, and $P_{max}$. Depth factor, peak ...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 이중 dopinge 불순뭍의 농도와 불순물 주입 깊여, 비저항의 제어가 중요하게 작용한다. 본 논문에서는 PC1D르 사용하여 doping의 변화를 통해 최적의 변환宣율을 얻어내도록 했다.
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