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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9, 2008 June 19, 2008년, pp.119 - 120
김인곤 (한양대학교) , 최재건 (하이닉스) , 박진구 (한양대학교)
ILD CMP process has been well accepted for the planarization of the dielectric oxide film and becomes a critical process in ULSI manufacturing due to the rapid shrinkage of the design rule for the device. In total manufacturing process steps for a device, the proportion of ILD CMP process has been g...
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