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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21, 2008 Nov. 06, 2008년, pp.408 - 409
Huang, Wen-Cheng (RFIC Center of Kwangwoon Univ.) , Wang, Cong (RFIC Center of Kwangwoon Univ.) , Kyung, Gear Inpyo (RFIC Center of Kwangwoon Univ.) , Kim, Nam-Young (RFIC Center of Kwangwoon Univ.)
In this paper the power divider is realized using the IPD processes for 900/1800 MHz; the designed power divider achieved the isolation of more than -24 dB. the insertion loss of nearly -3.5 dB, and the return loss of about -25 dB. The simple dual-band power divider based on SI-GaAs substrate is rea...
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