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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집 Vol.22, 2009 Nov. 12, 2009년, pp.74 - 74
Park, Kun-Joo (DMS Co., Ltd) , Lee, Kwang-Min (DMS Co., Ltd) , Kim, Min-Sik (DMS Co., Ltd) , Kim, Kee-Hyun (DMS Co., Ltd) , Lee, Weon-Mook (DMS Co., Ltd)
The ArF PR mask was. developed to overcome the limit. of sub 40nm patterning technology with KrF PR. But ArF PR difficult to meet the required PR selectivity by thin PR thickness. So need to the multi-stack mask such as amorphous carbon layer (ACL). Generally capacitively coupled plasma (CCP) etcher...
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