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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집 Vol.22, 2009 Nov. 12, 2009년, pp.70 - 70
강이구 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부) , 안병섭 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부) , 남태진 (극동대학교 컴퓨터정보표준학부)
In this paper, we proposed 2500V Non punch-through(NPT) Insulated gate bipolar transistor(IGBT) for high voltage industry application. we carried out optimal simulation for high efficiency of 2500V NPT IGBT according to size of device. In results, we obtaind design parameter with 375um n-drift thick...
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