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제안 방법
- 식각 공정을 통하여 형성한 Si 나노선을 플라스틱 기판위에 전사한 후 Au 전극을 증착한다. 다음으로 ZnO 나노선의 배열을 위한 A1 전극을 Si 나노선과 교차되도록 증착하고, 전극에 교류 바이어스를 인가하며 methanol 基액에 분산되어 있는 ZnO 나노선을 두 전극 사이에 배열한다. ZnO 나노선은 교류 바이어스에 의한 dipole의 형성으로 인하여 다음과 같은 dielectrophoresis (DEP) fbrce률 받는다 [1].
- 24 eV), 및 큰 exciton 결합 에너지 (60 meV)를 지닌 특성으로 인하여 광센서 (photosensor), 태양전지 (solar cell), 및 발광다이오드 (LED)등의 다양한 광소자 물질로서 사용되고 있다. 본 실험에서는 n-ZnO 나노선과 p-Si 나노선을 교차하여 p-n 접합을 형성한 후 자외선 영역의 수광 특성을 가지는 ZnO 나노선 기반 포토다이오드 (photodiode)를 제작한다.
대상 데이터
- 본 연구는 한국과학재단이 지원하는 나노원천기술개발사업 (CINS), 세계 수준의 연구중심대학 육성 사업 (WCU)과 한국산업 기술개발원이 지원하는 중기거점기술개발사업, 중소기업청이 지원하는 중소기업기술혁신개발사업 , 한국산업기술평가원이 지원 하는 핵심기반기술개발사업 (시 스 템IC2010), 서울시정개발연구원이 지원하는 특허기술상품화 기술개발 지원사업, 하이닉스 (주).고려대학교 나노반도체 프로그램의 산학 위탁 연구비 지원에 의하여 수행되었다
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