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알루미늄 박막을 이용하여 양극산화법으로 제작한 규칙적으로 정렬된 미세기공
Well-Aligned Nano-Sized Pores Using Aluminum Thin Film Fabricated by Aluminum Anodized Oxidation Method 원문보기

한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집 Vol.11, 2010 June 16, 2010년, pp.207 - 207  

한가람 (전자정보공학과, 순천향대학교) ,  윤태욱 (전자정보공학과, 순천향대학교) ,  강민기 (전자정보공학과, 순천향대학교) ,  남궁현민 (전자정보공학과, 순천향대학교) ,  김창교 (전자정보공학과, 순천향대학교)

초록
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알루미늄 양극산화 기술은 저가로 공정이 가능하고, 경제적이며 규칙적인 배열의 나노 미터 크기의 미세기공을 형성할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 인가전압, 양극산화 용액의 종류, 용액의 농도 및 온도 등의 양극산화 조건을 변화시킴에 따라 나노 기공의 직경 및 길이, 밀도 조절이 용이하다. 알루미늄 판 (aluminum plate)을 이용한 양극산화 기술은 상대적으로 많이 알려져 있으나 알루미늄 박막을 이용한 양극산화기술은 아직도 확립되어 있지 않다. 본 실험에서는 실리콘 기판에 Al을 $5000{\AA}$와 $8000{\AA}$으로 증착시켜서 기판으로 이용하였다. 아주 얇은 두께의 Al은 작은 변화에도 민감하게 반응하기 때문에 공정 변수인 온도와 전압의 정밀한 제어가 되어야 나노 기공의 크기 조절이 가능한 것을 확인하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 따라서 본 논문에서는 나노급 소자를 제작하기 위해서 저비용으로 나노급 패턴을 형성할 수 있는 양극 산화법을 이용하여 일정한 크기 및 배열을 갖는 나노 기공 알루미나 멤브레인을 제작하기 위해서 실리콘 웨이퍼 기판 위에 A1 박막을 증착한 후 양극 산화법으로 규칙적으로 정렬된 나노 기공을 형성하였고, 기공형성 메커니즘을 전류와 시간의 변화에 따라 관찰하였다.
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