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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7, 2006 June 22, 2006년, pp.173 - 174
류세환 (건국대학교 전기공학과) , 이명수 (기술표준원) , 원창섭 (건국대학교 전기공학과) , 안형근 (건국대학교 전기공학과) , 한득영 (건국대학교 전기공학과)
In this paper we proposed transient model for NPT(Non Punch-Through) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) with gate resistances. As gate resistance increases, turn-off time increases. But If gate resistance is small, overshoot voltage increase. To analyze the effect of gate resistance, the transi...
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