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LTCC 공정을 이용한 High Q 인덕터 구현을 위한 Simulation
The Simulation using LTCC Technology for High Q inductor realization 원문보기

한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7, 2006 June 22, 2006년, pp.317 - 318  

박제영 (인하대학교 전기전자공학부 전자공학과) ,  차두열 (인하대학교 전기전자공학부 전자공학과) ,  여동훈 (요업기술원 시스템 모듈 사업단) ,  김종희 (요업기술원 시스템 모듈 사업단) ,  장성필 (인하대학교 전기전자공학부 전자공학과)

초록
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일반적인 CMOS공정으로는 높은 주파수 대역에서 높은 Q factor를 갖는 인덕터를 구현하는데 어렵고 이에 반해 RF ICs는 갈수록 high Q 를 가지는 인덕터가 요구되고 있다. 이를 LTCC 기판 위에 인덕터를 구현했을 때 높은 주파수 대역에서 성능을 알아보기 위해 모의 실험하였다. 인덕터를 설계하는데 있어서 인덕터 코일의 폭, 코일의 두께와 간격이 인덕터의 성능을 결정짓는다는 것을 고려하였고, MEMS 공정을 이용하여 high Q를 갖는 인덕터를 설계하였다. 인덕터의 전체 크기는 $330{\mu}m\;{\times}\;330{\mu}m$에서 선폭은 $30{\mu}m$, 선간의 간격은 $20{\mu}m$로 기판위에 $80{\mu}m$ 높이로 인덕터를 띄어서 설계하였고, 그리고 이를 LTCC 기판위에 high Q 의 인덕터 구현을 위해 simulation 한 결과가 Q값이 50 정도의 크기를 나타냈다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • 수동소자를 집적시킬 수 있다.13] 二1리고 이를 구현하기에 앞서 HFSS simulation tool를 이용하여 높은 주파수 대역에서 동작특성이 어떤지를 살펴보고자 한다.
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