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[국내논문] $SiH_4$ Soak Effects for Optimization of Tungsten Plug Deposition on TiN Barrier Metal 원문보기

한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 반도체재료, 2001 May 11, 2001년, pp.54 - 56  

Kim, Sang-Yang ,  Seo, Yong-Jin ,  Lee, Woo-Sun ,  Chung, Hun-Sang ,  Kim, Chang-Il ,  Chang, Eui-Goo ,  Chung, Yong-Ho

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

The $SiH_4$ soak step is widely used during the CVD Tungsten(W) plug deposition process on the Ti/TiN barrier metal to prevent the $WF_6$ attack to the underlayer metal. We tried to reduce or skip the time of $SiH_4$ soak process to optimize W-plug deposition process...

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