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XPS 및 Surface voltage decay를 이용한 실리콘 절연재료의 표면분석
Surface Analysis of Silicone Polymer used as Insulating Material by XPS and Surface Voltage Decay 원문보기

한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15, 2002 Nov. 07, 2002년, pp.236 - 239  

연복희 (인하대학교) ,  이기택 (한국전기연구원) ,  박충렬 (인하대학교) ,  김남렬 (중원전기(주)) ,  서유진 (인하대학교) ,  허창수 (인하대학교) ,  조한구 (한국전기연구원)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Surface states of silicone polymer treated by plasma were investigated by the analysis by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and surface voltage decay. Plasma treatment causes the silica-like oxidative layer, which is confirmed with XPS, and lowers surface resistivity with increasing the plasma ...

AI 본문요약
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제안 방법

  • PDMS 절연재의 실록산 결합 중 세 개 이상의 산소와 결합된 규소원자 성분인 무기질 실리카유사상을 나타내는 103.7 eV의 피크(②)와 102.1 eV(①)에서의 SiO2 실록산 결합상으로 피크 분리를 하였다. 그림에서 보는 바와 같이 플라즈마 처리 시간이 장기화 될 수록 ②번 피크의 크기가 점차 증가한 것을 확인할 수 있었다.
  • 코로나 주전 극의 전압은 ±10 kV로 하였으며, 그리드 전극에는 ±1 kV의 전압을 인가하여 상온에서 정극성과 부극성 각각에 대해 시료 표면을 대전시켰다. 대전시간은 2분으로 정해놓고, 이후 코로나 전극을 돌려 제거한 후 표면 전위 프로브를 사용하여 대전 후의 하전입자의 감쇠로 인한 표면전위의 변화를 관측하였다. 표면 전위 프로브와 대전된 시료 간의 거리를 5 mm로 유지한 채로 10분 동안 측정하였다.
  • 본 논문에서는 플라즈마 처리된 실리콘 절연재료의 표면특성을 XPS 및 코로나 대전 후 표면전위 감쇠 장치를 이용하여 표면 상태를 분석하였다. 뿐만 아니라, 온도에 따른 감쇠 속도를 측정하여 표면 전도의 열 활성화 에너지를 예측하였다.
  • 본 연구에서 사용한 대전장비는 침대 평판 구조의 코로나 방전에 망상 그리드 전극을 삽입하여 표면을 대전시킬 수 있게 구성하였다. 코로나 주전 극의 전압은 ±10 kV로 하였으며, 그리드 전극에는 ±1 kV의 전압을 인가하여 상온에서 정극성과 부극성 각각에 대해 시료 표면을 대전시켰다.
  • 뿐만 아니라, 온도에 따른 감쇠 속도를 측정하여 표면 전도의 열 활성화 에너지를 예측하였다. 이로써 각종 전기적 방전에 의한 고분자 절연재료의 화학적 상태과 전기적 특성과의 상관관계에 대해 도움이 될 것으로 판단된다.
  • 이의 결과를 그림 6에 나타내었다. 이에 따라서 표면전도에 필요한 열 활성화 에너지를 구하였다. 이를 그림 7에 나타내었는데, 플라즈마 처리 시간이 장기화되면서 표면전도에 필요한 활성화 에너지가 점차 감소함을 알 수 있었다.
  • 대전시킬 수 있게 구성하였다. 코로나 주전 극의 전압은 ±10 kV로 하였으며, 그리드 전극에는 ±1 kV의 전압을 인가하여 상온에서 정극성과 부극성 각각에 대해 시료 표면을 대전시켰다. 대전시간은 2분으로 정해놓고, 이후 코로나 전극을 돌려 제거한 후 표면 전위 프로브를 사용하여 대전 후의 하전입자의 감쇠로 인한 표면전위의 변화를 관측하였다.
  • 대전시간은 2분으로 정해놓고, 이후 코로나 전극을 돌려 제거한 후 표면 전위 프로브를 사용하여 대전 후의 하전입자의 감쇠로 인한 표면전위의 변화를 관측하였다. 표면 전위 프로브와 대전된 시료 간의 거리를 5 mm로 유지한 채로 10분 동안 측정하였다.
  • 플라즈마 처리시간을 달리한 시료를 대상으로 코로나 대전을 시킨 후, 표면전위 감쇠를 측정하였다. 그림 3에 이의 결과를 나타내었는데, 플라즈마 처리시간이 길어지면서 표면전위 감쇠속도가 빨리 이루어지는 것을 확인하였다.

대상 데이터

  • 본 연구에 사용된 시료는 PDMS형 실리콘 고무로 건식처리된 실리카 충전제가 약 20 wt%정도혼련된 시료를 대상으로 하였다.
  • 본 연구에 사용한 XPS (ARIESARSC 10MCD 150, VSW UK) 는 Xtjs source 로 Mg 의 Ka (1253.6 eV)선을 사용하였고, X선 출력은 200 W (10 kV, 20mA), 진공도는 최대 5x10-8 hPa 이하로 유지하여 분석하였다. 측정범위는 전체적인 survey scan mode에서 0에서 1200 eV 범위로 0.

이론/모형

  • 이러한 결과를 바탕으로 표면저항률을 구하고 이의 역수를 구하여, Arrhenius식에 따라 나타내었다. 이의 결과를 그림 6에 나타내었다.
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