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결정 성장 조건에 따른 copper(II)-phthalocyanine 박막의 전기전도도 특성
Conductivity of copper(II)-phthalocyanine thin films due to a grain growth 원문보기

한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야, 2004 May 06, 2004년, pp.132 - 136  

박미화 (서강대학교 물리학과) ,  유현준 (서강대학교 물리학과) ,  이기진 (서강대학교 물리학과)

초록
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열 증착 방법을 이용하여 copper(II)-phthalocyanine(CuPc) 박막을 glass 기판 위에 제작하였다. 열처리 조건은 $150^{\circ}C$에서 후열(annealing) 처리 하는 방식과 예열하는 두 가지 방식으로 달리하였다. 제작된 박막의 전기전도도를 평가하기 위해 마이크로웨이브 근접장 효과를 이용한 근접장 현미경(near-field scanning microwave microscope)을 이용하여 비파괴적인 방식으로 CuPc 박막의 반사계수(reflection coefficient)를 측정하였다. CuPc 박막의 전기전도도 특성을 UV 흡수도를 통한 에너지 밴드갭의 shift 현상과 관련지어 설명하고 또한 x-ray diffraction(XRD) data를 통해 박막의 결정 특성과 비교하였다. 박막 표면 특성은 SEM(scanning microscope microscopy)을 통해 관측하였다. 열처리 조건에 따른 CuPc 박막의 전기전도도 특성은 후열 처리한 박막의 경우 예열 처리한 박막보다 전기 전도 특성이 향상되었음을 관측할 수 있었다.

AI 본문요약
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제안 방법

  • [8] 사용한 tip의 모양에 따라 샘플예 대한 공간 분해능 (spatial 玲MluZion)과 민감도(导ensitivity)가 결정죄는데 tip의 모양이 뭉툭할수록 샘플에 대한 민감도(sensitivity)가 중가되고 tip 끝단이 뾰족할수록 공간 분해능이 향상돤다.(2) 본 연구에서는 CuPc 박막에 대한 tip의 민감도를 이용하여 전기전도도를 이용하기 위하여 tip 끝단을 에칭하지 않은 0.05 mm의 gold wire를 사용하였다.
  • [8] 본 연구에서는 기판 열처리 온도가 150笆인 경유에 대해 열처리 방식을 각각 예열처리 방식퐈후열(annealing) 처리 방식으로 달리하여 제작하고 CuPc 박막은 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 전기젹 특성을 측정하였다* UV 흡수도를 통하여 박막의 밴드갭 에너지 및 XRD를 통하여 결정 구조를 분석하고 박막 표면 특성을 SEM올 통하여 관찰하였다. NSMM을 통하여 얻은 박막의 전기저항 특성과 박막외 표면 구조 특성과 비교 연구하였다.
  • 반사계수 Sm을 통한 결과는 UV 흡수도에서의 photon energy 의 이동 현상 과도 일치함을 알 수 있다. UV 흡수도 측정에는 신코 3100 을 이용하였으며 스캔 방식으로 200 nm에서 900 nm 영역의 가장대의 빛을 샘플에 통과시킨 후 흡수되는 빛의 세기를 조사하였으며 500 nm에서부터 800 nm 영역에서의 흡수도 결과를 그림 3에 나타내었다. 흡수도 결과에서 파장을 에너지로 나타내었다.
  • [7] 이러한 사살은 이미 NSMM을 통한 전기적 특성 분석 결과와도 일치한다.[8] 본 연구에서는 기판 열처리 온도가 150笆인 경유에 대해 열처리 방식을 각각 예열처리 방식퐈후열(annealing) 처리 방식으로 달리하여 제작하고 CuPc 박막은 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 전기젹 특성을 측정하였다* UV 흡수도를 통하여 박막의 밴드갭 에너지 및 XRD를 통하여 결정 구조를 분석하고 박막 표면 특성을 SEM올 통하여 관찰하였다. NSMM을 통하여 얻은 박막의 전기저항 특성과 박막외 표면 구조 특성과 비교 연구하였다.
  • 그림 1에 나타내었다. 근접장 마이크로파 현미경의 감도와 분해능을 향상하기 위한 목적으로 유전체 공진기를 사용하였다. 공진기의 모드는 TM 모드를 사용하였다.
  • 기판 온도는 150 I로 동일하게 처리하였고 처리 방식욘 예열처리 방식과 후열(annealing) 처리 방식으로 차별화하였다. 제작된 박막의 결정 구조 및 표면 특성의 변화에 따른 전기적 정보를 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 반사 계 수 (reflection coefficient) Sn을 측정하여 분석하였다.
  • 제작된 박막의 결정 구조 및 표면 특성의 변화에 따른 전기적 정보를 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 반사 계 수 (reflection coefficient) Sn을 측정하여 분석하였다. 기판온도 열처리 방식에 따른 CuPc 박막의 표면 구조는 SEM을 이용하여 관찰하였다. 마이크로파 반사율로 측정한 CuPc 박막의 전기적 특성을 SEM을 통한 박막 표면및 XRD 결과와 비교하였다.
  • 기판온도 열처리 방식에 따른 CuPc 박막의 표면 구조는 SEM을 이용하여 관찰하였다. 마이크로파 반사율로 측정한 CuPc 박막의 전기적 특성을 SEM을 통한 박막 표면및 XRD 결과와 비교하였다.
  • 공진기의 모드는 TM 모드를 사용하였다. 샘플과 팁 사이의 일정한 거리 조절을 위해 tuning fork과 lock~in amplifier를 이욤한 feed back system을 사용하였다.[8] 사용한 tip의 모양에 따라 샘플예 대한 공간 분해능 (spatial 玲MluZion)과 민감도(导ensitivity)가 결정죄는데 tip의 모양이 뭉툭할수록 샘플에 대한 민감도(sensitivity)가 중가되고 tip 끝단이 뾰족할수록 공간 분해능이 향상돤다.
  • 기판 온도는 150 I로 동일하게 처리하였고 처리 방식욘 예열처리 방식과 후열(annealing) 처리 방식으로 차별화하였다. 제작된 박막의 결정 구조 및 표면 특성의 변화에 따른 전기적 정보를 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 반사 계 수 (reflection coefficient) Sn을 측정하여 분석하였다. 기판온도 열처리 방식에 따른 CuPc 박막의 표면 구조는 SEM을 이용하여 관찰하였다.
  • 시료로는 150 C의 온도에서 열처리 조건을 달리한 두 개의 CuPc 박막을 사용하였다. 측정은 유전율이 근사적으로 1 인 공기의 반사 계수를 기준으로 하였다. CuPc 박막의 경우 후열처리 한 경우의 박막이 예열처리한 경우보다 항상 반사 계수가 증가하였다.

대상 데이터

  • 이 경우에는 반사율의 크기는 ZsQtRe(이出와 같다. 본 연구에서 사용한 박막의 두께는 모두 150 nm로 동일하므로 반사율의 크기는 전도도 Q에 비례한다. 따라서 전도성이 좋은 박막의 경우 반사계수 Sn값은 중가한다.
  • 2에 나타내었다. 시료로는 150 C의 온도에서 열처리 조건을 달리한 두 개의 CuPc 박막을 사용하였다. 측정은 유전율이 근사적으로 1 인 공기의 반사 계수를 기준으로 하였다.
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