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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스, 2004 Apr. 24, 2004년, pp.121 - 124
진동우 (동서대학교) , 노상수 (대양전기공업(주) 부설기술연구소) , 김규현 (동서대학교) , 정귀상 (동서대학교)
The research on the porous silicon having low wafer stress during the oxidation process in IPOS(Isolation by Porous Oxidized Silicon) were carried out. Fine pores with less than 100A of diameter were found in the porous silicon which from p-type Si by electrochemical etching. In this study, it is po...
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