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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2, 2002 July 08, 2002년, pp.570 - 573
이규일 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과) , 강현일 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과) , 박영 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과) , 박기엽 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과) , 송준태 (성균관대학교 전기전자 및 컴퓨터공학과)
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT) thin films were deposited on the Pt/Ti bottom electrode by rf magnetron sputtering method from target containing 5%, 25% and 50% Pb excess for applying ferroelectric random access memory (FRAM). PZT films were deposited at
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