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BSCCO 박막 제작을 위한 산화가스의 특성
Characteristics of Oxidizing Gas for BSCCO Thin Film Fabrication 원문보기

한국전기전자재료학회 2005년도 춘계학술대회 논문집, 2005 May 27, 2005년, pp.110 - 113  

임중관 (동신대학교) ,  박용필 (동신대학교) ,  장경욱 (경원전문대) ,  이희갑 (대한상공회의소)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Ozone is useful oxidizing gas for the fabrication of BSCCO thin films. In order to obtain high quality oxide BSCCO thin films, higher ozone concentration is necessary. The growth rates of the films was set in the region from 0.17 to 0.27 nm/min. MgO(100) was used as a substrate. In this paper oxidat...

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문제 정의

  • 고품질의 박막 생성조건을 연구하기 위해서는 다양한 환경에서 제작한 최적 조성의 박막을 분석할 필요가 있다. 실험에서는 Bi 계 산화물 초전도체의 구성 원소인 Bi, Sr, Ca 및 Cu를 개별적으로 스퍼터하기 위해서 4 개의 이온 건과 타깃을 조합하여 성막을 하였다. 또한 박막 제작 시 매번 생성막의 결정구조, 조성을 분석하고 그 결과로부터 타깃 스퍼터량을결정하였으며 기판 온도, 산화가스 압력 등 성막 환경을 제어하여 초전도상의 생성도를 구하였다.
  • 그림 3에서는 산화동(I)과 산화동(口)의 반응 선을 산소가스, 산소 원자 그리고 오존가스에 대해 표시하였다【6]. 성막 환경과 이들의 반응선 관계에 대하여 고찰한다.
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